展示テーマ：
パワーデバイス用高品質SiC結晶成長技術

展示内容：
電気エネルギーのさらなる高効率利用には、インバータ技術などに代表される電力制御のためのパワーデバイスの高性能化が不可欠である。そして、SiCは次世代パワーデバイス用材料として期待されており、現在のSiパワーデバイスをSiCで置き換えることで、年間1000万トンのCO2削減が可能であると試算されている。SiCパワーデバイスの実用化における最大の課題は高品質結晶の実現である。本技術は、SiCパワーデバイスの本命であるMOSFETに適した立方晶構造であるキュービックSiCの高品質結晶を実現する成長手法である。

SiC溶液成長の様子

実現した結晶。左が六方晶SiCで、右が立方晶SiC。実験条件により作り分けることも出来る。