展示内容：　

電気通信大学発ベンチャー企業である株式会社ナノテコの代表的開発製品の展示を行ないます。

１． 酸化インヂウム錫（ITO）を電極構造に応用し、大面積発光を可能にした超高輝度LED
　　（技術説明パネル、試作品の展示）
　
　 超高輝度LED用AlGaInP（４元）エピタキシャルウェハーの上部に導電性透明膜であるITO（インジウム錫酸化膜）を形成することにより、低コストで高品質なLED用エピタキシャルウェハーを開発。
このウェハーは１０００μｍ角という大型チップにおいても低VFで素子全体を均等に発光させることが可能で、屋外表示灯、信号機、照明用等の大電流用超高輝度LEDデバイスへの用途が期待されている。

２． 金属ナノ粒子含有のバラスト抵抗を伴ったバイポーラトランジスター
　　（技術説明パネルの展示）

　ナノクリスタル粒状金属を利用した抵抗層を、エミッタ層あるいはベース層に接して形成させ、従来のHBTのマイクロ波増幅特性を劣化させるような熱暴走を抑止できる。
また付加電力効率のばらつきを改善できることから、製品歩留まりを大幅に向上させることが可能となる。