展示内容：　

　本研究室では、プラズマレス・低温・大面積・高速薄膜形成が可能で、ガスの利用効率が高いために環境負荷も小さいCat-CVD法を世界に先駆けて開発し、基礎的現象の解明はもとより、産業界への技術移転に向けて研究開発を実施して参りました。この方法は、半導体素子やフラットパネルディスプレイの新規製造技術として注目頂いており、1995年からは、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の大学連携型産業科学技術研究開発プロジェクト、科学技術振興事業団（JST）研究成果活用プラザ石川の重点地域研究開発促進事業などの公的支援も含め、民間企業を中心に20以上の機関とCat-CVD法の実用化に向けて共同開発を実施しております。今回は、第4世代（730mm×920 mm）ガラス基板上に均一形成したCat-CVD膜や、大面積堆積実現のための基幹要素技術である触媒体一体型シャワーヘッドなど実際の試作品を中心に御覧頂きます。さらに、膜形成温度を100 ℃以下とすることにより実現可能となった、包装用ならびにディスプレイ用プラスチック基材上へのバリア膜形成技術や有機EL素子直接封止技術についても御紹介致します。さらに、プラズマレス各種ラジカル処理技術、レジスト剥離技術などの半導体分野への新規応用も含め、Cat-CVD技術の最近の進展についてアニメーションやパネルでも御紹介致します。

1) Cat-CVD法の原理　

原料ガスを真空チャンバー内に設置した触媒作用により分解し、半導体デバイスやデ ィスプレイ、太陽電池などに使われる薄膜を形成する方法です。

2）大面積Cat-CVD装置

説明：メートルサイズの基板に対応できるCat-CVD装置で、次世代ディスプレイ、太陽電池 製造技術として用いられることが検討されています。