展示内容：
１．MRAMへの利用などスピントロニクスの分野で注目されているハーフメタルや高いスピン分極率を持つ物質を理論的に予測した。特に、原子配列の乱れによりスピン分極率が低下しないものを探索した。２．p型Siウェハーを不活性ガスイオンで照射損傷させ、共有結合を切断し、Siウェハー深くにダングリングボンドを作り、pnダイオードとnpn型トランジスタを試作し、高温動作型トランジスタの可能性を検証した。