展示テーマ：
（１）大面積単結晶SiC革新的基盤技術の開発（２）MBE-Litho

展示内容：
（１）Si薄液を介して行う等温SiC液相結晶成長法（MSE法）の展開：多結晶及び単結晶基板上へ4H-SiC単結晶を成長。低過飽和状態と横方向成長駆動力を用いた4H-SiC結晶の高品質化。特殊TaC坩堝を用いた等温閉空間内で新規SiC表面の原子レベル制御。
（２）半導体基板上の表面酸化膜に高機能レジスト機能を電子線照射により発現（Lithography）、得られた酸化膜テンプレートに直接成長（MBE）により、形状制御された三次元ナノアレイ構造（GaAs/Si含む）をその場で創成。

SiCプロセス

MBE−Litho