展示内容：

「大面積単結晶SiC革新的基盤技術の研究開発」（NEDOエネルギー使用合理化技術戦略的開発事業）

シリコン（Si）を用いた半導体がその材料自身の物性的限界に近づきつつあり、SiC半導体による省エネルギー産業インフラを構築することが急務となっています。
ところが現在、SiCの結晶基板材料の製造から、高品位SiCバルク基板の製造に至るまで、世界市場の90％が海外の一企業によって占有されている上に、その製造コストが高く、生産性が低いため、SiCそのものの優位性が広く産業界で認識されているにもかかわらず、普及が遅れている原因となっています。

従来のSiCバルク基板製造技術に頼らず、差別化が可能な、革新的SiC製造技術の研究開発を行っています。
単結晶SiC基板製造技術における種結晶の発生から大面積基板成長まで、高品質で、低コスト、大量生産に適したSiC液相成長法の開発を目指します。本技術は関西学院大学において、独自に開発したシリコン薄液環境を用いた等温成長法をSiCバルクに応用した準安定液相成長法（MSE法）です。

本技術の開発に成功すれば、日本の電気・充電・機械・自動車メーカー等が従来から蓄積してきたSiC製造インフラと融合し、SiCを用いた製品開発に向け、産業展開は自立的に加速するものと予想されます。