展示内容：
①純粋なＳｉ薄液を介して行う新規等温ＳｉＣ結晶成長法（準安定溶媒液相法：MSE法）の展開：多結晶基板上へ4H種結晶生成、特異な横方向成長駆動力を用いた4H結晶大口径化、特異な結晶欠陥低減機構を有するエピタキシャル成長。特殊TaC坩堝等温閉空間内での気相処理展開：表面超平坦化・表面ポリタイプ制御
②半導体基板上の表面酸化膜を電子線照射で改質（Lithography）、得られた酸化膜テンプレートに直接成長（MBE）により、形状制御された三次元ナノアレイ構造（GaAs/Si含む）をその場で創成

関西学院大学　新規開発ＳｉＣプロセス手法

MBE−Litho法を用いた三次元半導体