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| (独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究ラボ 梅沢 仁 冷却フリーダイヤモンドパワーエレクトロニクス |
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| 出展分野 | 装置デバイス | プレゼンテーション 情報 |
PB-17
プレゼンテーションＢ 9/28 10:20-10:40  |
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| 出展ゾーン | 若手研究者による展示 | ||
| 展示会小間番号 | P-28 |
研究成果概要
技術の概要冷却フリーパワーエレクトロニクスが期待されるダイヤモンド半導体で、高温動作にて高電流密度、高電圧、高速動作を確認した。 高温・高出力パッケージに搭載し、250℃動作にて5Aまでの高出力が可能となっている。 小型素子では2kV、1000A/cm2の高出力動作が実現している。 究極の半導体と言われるダイヤモンドで実用化を目指した本格研究が実施され、市販SiC素子と同等の性能が得られるようになった。 マッチングを想定する業界自動車業界、基幹エレクトロニクス産業など |
従来技術に対する新規性・優位性250℃の高温でパワエレ素子として必要な要素である高電流、高電圧、高速動作を同時に達成できる。 冷却ユニットの大幅な省略で超小型システムの可能性。 実用化に向けた課題ウェハの品質、ウェハ価格、低抵抗ウェハ、三端子素子 |
関連論文・特許、件数・概要
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お問い合わせ先
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TEL：029-861-2770
FAX：029-861-2771
URL：http://www.aist.go.jp/index_ja.html
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