SIP「IoE社会のエネルギーシステム」にて開発中の技術が「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」半導体デバイス部門にてグランプリを受賞！
令和2年7月13日
政策統括官（科学技術・イノベーション担当
戦略的イノベーション創造プログラム（SIP）第2期「IoE社会のエネルギーシステム」に参画し、パワートランジスタ（MOSFET）を開発中の株式会社FLOSFIA社が、6月２５日、電子デバイス産業新聞（発行元：産業タイムズ社）主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2020」半導体デバイス部門グランプリを受賞しましたのでお知らせします。
SIP第2期IoE社会のエネルギーシステム」では、再生可能エネルギーが主力エネルギー源となる社会のエネルギーシステムの設計について検討し、その実現に必要となる共通基盤技術の開発に取り組んでいます。
今回、半導体デバイス部門グランプリを受賞したパワートランジスタは、コランダム構造酸化ガリウム（α-Ga2O3）を用いた高品質のもので、先行する市販SiCの特性を凌駕するチャンネル移動度を実現しました。
今後、受賞技術は安全・安心で低損失なエネルギーシステムにおいて重要な役割を果たし、脱炭素社会の実現に貢献することが期待されます