次世代パワーエレクトロニクス
超スマート社会の電力を、パワエレ技術が支える
どこでもパワエレ機器で豊かな省エネ社会
私たちが望む未来像の一つに「自然環境と、快適で便利な生活が共存する社会」があるだろう。家電製品から電車まで、さまざまな電子機器の省エネ化を実現してきたパワーエレクトロニクスは、そのような未来をつくるキーテクノロジーだ。今後も世界のパワーエレクトロニクス市場は大きく成長する。世界に先駆けて次世代パワーエレクトロニクスの技術開発を行うことで、日本の産業競争力を高め、豊かな省エネ社会の実現に貢献していく。
研究開発テーマ
- SiCに関する拠点型共通基盤技術開発
SiC（炭化ケイ素）パワーエレクトロニクスの基盤技術を強化するため、産学連携の研究開発拠点を構築し、次世代SiCウエハ、デバイス、モジュールの高耐圧化、小型化、低損失化を信頼性の確保とともに実現することを可能とする技術開発と、関連研究者の人材育成を行う。 - GaNに関する拠点型共通基盤技術開発
GaN（窒化ガリウム）パワーエレクトロニクスの基盤技術を強化するため、産学官連携の研究開発拠点を構築し、低欠陥で、パワーデバ イスに供する次世代GaNウエハ製造技術、およびGaN縦型パワーデバイスの技術開発を行う。 - 次世代パワーモジュールの応用に関する基盤研究開発
次世代パワーモジュールの使いこなしを進め、活 用の幅を広げるために、高効率・高性能電力変換 システムや、高パワー密度・高効率モータ駆動シ ステム等を実現するためのシステム実装技術を 開発する。シミュレーション技術等によるパワーモ ジュールと上記システムとの効率的な集積化や、 応用製品の試作も行う。 - 将来のパワーエレクトロニクスを
支える基盤研究開発
SiCやGaNを超える高性能なパワーデバイスの実 現のため、Ga₂O₃（酸化ガリウム）やダイヤモンド等 の新材料の開拓、および従来のパワーエレクトロ ニクスを超える基盤技術を支える新構造、新回路 の開発等、革新的な性能向上につながる研究を行 い、10～15年後の実用化を目指す。